PMN-PT szubsztrátum
Leírás
A PMN-PT kristály rendkívül magas elektromechanikus csatolási együtthatójáról, magas piezoelektromos együtthatójáról, nagy alakváltozásáról és alacsony dielektromos veszteségéről ismert.
Tulajdonságok
| Kémiai összetétel | (PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x: (PbTiO3)x |
| Szerkezet | R3m, romboéder |
| Rács | a0 ~ 4,024Å |
| Olvadáspont (℃) | 1280 |
| Sűrűség (g/cm3) | 8.1 |
| Piezoelektromos együttható d33 | >2000 pC/N |
| Dielektromos veszteség | tand<0,9 |
| Fogalmazás | a morfotróp fázishatár közelében |
PMN-PT szubsztrát meghatározása
A PMN-PT szubsztrát PMN-PT piezoelektromos anyagból készült vékony filmre vagy lapkára utal.Különböző elektronikus vagy optoelektronikai eszközök támasztóalapjaként vagy alapjaként szolgál.
A PMN-PT összefüggésében a szubsztrát jellemzően egy lapos merev felület, amelyen vékony rétegek vagy szerkezetek növeszthetők vagy lerakhatók.A PMN-PT szubsztrátumokat általában olyan eszközök gyártására használják, mint például piezoelektromos érzékelők, működtetők, átalakítók és energiagyűjtők.
Ezek a hordozók stabil platformot biztosítanak további rétegek vagy struktúrák növekedéséhez vagy lerakásához, lehetővé téve a PMN-PT piezoelektromos tulajdonságainak integrálását az eszközökbe.A PMN-PT szubsztrátumok vékonyréteg- vagy ostyaformája kompakt és hatékony eszközöket hozhat létre, amelyek kihasználják az anyag kiváló piezoelektromos tulajdonságait.
Kapcsolódó termékek
A magas rácsillesztés a rácsszerkezetek egymáshoz igazítására vagy illesztésére utal két különböző anyag között.Az MCT (higany-kadmium-tellurid) félvezetők esetében a magas rácsillesztés kívánatos, mert lehetővé teszi jó minőségű, hibamentes epitaxiális rétegek növekedését.
Az MCT egy összetett félvezető anyag, amelyet általában infravörös detektorokban és képalkotó eszközökben használnak.Az eszköz teljesítményének maximalizálása érdekében kritikus fontosságú olyan MCT epitaxiális rétegeket növeszteni, amelyek szorosan illeszkednek az alatta lévő hordozóanyag (általában CdZnTe vagy GaAs) rácsszerkezetéhez.
A magas rácsillesztés elérésével javul a kristályok rétegek közötti igazítása, és csökkennek a határfelületen a hibák és a feszültség.Ez jobb kristályminőséget, jobb elektromos és optikai tulajdonságokat, valamint jobb eszközteljesítményt eredményez.
A magas rácsillesztés fontos az olyan alkalmazásoknál, mint például az infravörös képalkotás és az érzékelés, ahol még a kis hibák vagy hiányosságok is ronthatják az eszköz teljesítményét, befolyásolva olyan tényezőket, mint az érzékenység, a térbeli felbontás és a jel-zaj arány.
