LiAlO2 szubsztrát
Leírás
A LiAlO2 kiváló filmkristály szubsztrát.
Tulajdonságok
| Kristályos szerkezet | M4 |
| Egységcella állandó | a=5,17 A c=6,26 A |
| Olvadáspont (℃) | 1900 |
| Sűrűség (g/cm).3） | 2.62 |
| Keménység (Mho) | 7.5 |
| Polírozás | Egy- vagy kétágyas vagy anélkül |
| Kristály orientáció | ＜100＞＜001> |
A LiAlO2 szubsztrát meghatározása
A LiAlO2 szubsztrát lítium-alumínium-oxidból (LiAlO2) készült hordozóra utal.A LiAlO2 az R3m tércsoportba tartozó, háromszög alakú kristályszerkezetű kristályos vegyület.
A LiAlO2 szubsztrátokat különféle alkalmazásokban használták, beleértve a vékonyréteg-növekedést, az epitaxiális rétegeket és az elektronikus, optoelektronikai és fotonikus eszközök heterostruktúráit.Kiváló fizikai és kémiai tulajdonságai miatt különösen alkalmas széles sávú félvezető eszközök fejlesztésére.
A LiAlO2 szubsztrátok egyik fő felhasználási területe a gallium-nitrid (GaN) alapú eszközök, például a nagy elektronmozgású tranzisztorok (HEMT) és a fénykibocsátó diódák (LED) területén.A LiAlO2 és a GaN közötti rácsos eltérés viszonylag kicsi, így megfelelő szubsztrátum a GaN vékonyrétegek epitaxiális növekedéséhez.A LiAlO2 szubsztrát kiváló minőségű sablont biztosít a GaN leválasztáshoz, ami javítja az eszköz teljesítményét és megbízhatóságát.
A LiAlO2 szubsztrátokat más területeken is használják, mint például a memóriaeszközök ferroelektromos anyagainak növekedése, piezoelektromos eszközök fejlesztése és szilárdtest akkumulátorok gyártása.Egyedülálló tulajdonságaik, mint például a nagy hővezető képesség, a jó mechanikai stabilitás és az alacsony dielektromos állandó, előnyöket biztosítanak ezekben az alkalmazásokban.
Összefoglalva, a LiAlO2 szubsztrát lítium-alumínium-oxidból készült hordozóra utal.A LiAlO2 szubsztrátokat különféle alkalmazásokban használják, különösen a GaN alapú eszközök növekedéséhez, valamint egyéb elektronikus, optoelektronikai és fotonikus eszközök fejlesztéséhez.Kívánatos fizikai és kémiai tulajdonságokkal rendelkeznek, amelyek alkalmassá teszik vékony filmek és heterostruktúrák leválasztására, és javítják a készülék teljesítményét.
