Ge szubsztrát
Leírás
A Ge egykristály kiváló félvezető az infravörös és IC ipar számára.
Tulajdonságok
| Növekedési módszer | Czochralski módszer | ||
| Kristályos szerkezet | M3 | ||
| Egységcella állandó | a=5,65754 Å | ||
| Sűrűség (g/cm).3） | 5.323 | ||
| Olvadáspont (℃) | 937.4 | ||
| Adalékolt anyag | Nem doppingolt | Sb-adalékolt | In / Ga – adalékolt |
| típus | / | N | P |
| Ellenállás | ＞35Ωcm | 0,05Ωcm | 0,05~0,1Ωcm |
| EPD | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 | ＜4×103∕cm2 |
| Méret | 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20 | ||
| átm. 2” x 0,33 mm átm. 2” x 0,43 mm 15 x 15 mm | |||
| Vastagság | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
| Polírozás | Sima vagy dupla | ||
| Kristály orientáció | <100>、<110>、<111>、±0,5º | ||
| Ra | ≤5Å (5µm×5µm) | ||
A Ge szubsztrát definíciója
A Ge szubsztrát germánium (Ge) elemből készült hordozóra utal.A germánium egy félvezető anyag, egyedülálló elektronikus tulajdonságokkal, amelyek alkalmassá teszik számos elektronikai és optoelektronikai alkalmazásra.
A Ge szubsztrátumokat általában elektronikus eszközök gyártásában használják, különösen a félvezető technológia területén.Alapanyagként használják vékony filmek és más félvezetők, például szilícium (Si) epitaxiális rétegeinek felhordásához.A Ge szubsztrátok felhasználhatók heterostruktúrák és összetett félvezető rétegek termesztésére, amelyek speciális tulajdonságokkal rendelkeznek olyan alkalmazásokhoz, mint a nagy sebességű tranzisztorok, fotodetektorok és napelemek.
A germániumot a fotonikában és az optoelektronikában is használják, ahol szubsztrátként használható infravörös (IR) detektorok és lencsék termesztéséhez.A Ge szubsztrátumok infravörös alkalmazásokhoz szükséges tulajdonságokkal rendelkeznek, mint például széles átviteli tartomány a középső infravörös tartományban és kiváló mechanikai tulajdonságok alacsony hőmérsékleten.
A Ge hordozók a szilíciummal szorosan illeszkedő rácsszerkezettel rendelkeznek, így kompatibilisek az Si-alapú elektronikával.Ez a kompatibilitás lehetővé teszi hibrid szerkezetek gyártását és fejlett elektronikus és fotonikus eszközök fejlesztését.
Összefoglalva, a Ge szubsztrát germániumból készült hordozóra utal, amely egy félvezető anyag, amelyet elektronikus és optoelektronikai alkalmazásokban használnak.Platformként szolgál más félvezető anyagok növekedéséhez, lehetővé téve különféle eszközök gyártását az elektronika, az optoelektronika és a fotonika területén.
